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Die erfundenen feldelektrischen Halbleiter sind aus drei Schichten bestehende Halbleiterelemente mit identischem Leitungstyp in den beiden äußeren Schichten, in denen der Ladungsträgerfluss grundsätzlich entsprechend der feldelektrischen Kräfteverhältnisse zwischen den einzelnen Schichten abläuft. Mit ihren unterschiedlichen Ausführungsformen – feldelektrische Gleichstromdiode, feldelektrische Wechselstromdiode, feldelektrischer Gleichstromtransistor, feldelektrischer Wechselstromtransistor – sind nicht nur herkömmliche schaltungstechnische Aufgaben, sondern auch neue elektronische Probleme lösbar.
Wegen ihres negativen Innenwiderstandes die neuartige Dioden- und Transistorelemente auch zum Ausgleich des durch die Erhöhung der Ausgangsbelastung entstehenden Eingangsspannungsabfalls geeignet. Darüber hinausgehend kann der erfundene Transistor unter Zuhilfenahme eines einfachen Zenerstromkreises zum Ausgleich von Eingangsspannungsschwankungen, die durch Netzspannungsschwankungen entstehen, sehr effektiv verwendet werden. Mit Hilfe des Wechselstromtransistors neuen Typs ist der gleichzeitige Ausgleich sowohl der Laständerungen als auch der Netzspannungsschwankungen auch in Wechselstromkreisen auf elektronischem Wege möglich.
KUN Ákos
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